全球闪存峰会FMS 2023：关键词和亮点

上周（8月8-10日），全球闪存峰会FMS 2023在美国加州圣克拉拉举行，许多半导体存储领先公司和供应商展示了他们的最新产品和技术。谈到内存市场，特别是独立内存市场规模将在2028年增加到2560亿美元（2022年为1440亿美元）。

除美光外，三星、SK海力士、Solidigm、铠侠、西数硬盘等大部分领先的内存IDM公司都是keynote4演讲者。在巨大的展厅里，他们有很棒的公司展位来展示新的内存产品，但是美光这次并没有展位。相反，美光只是在圣克拉拉会议中心附近的圣克拉拉希尔顿酒店安排了两间定制的小会议室。

FMS 2023中15大关键词

1. 内存缩放
2. CXL – 存储
3. 内存语义SSD
4. 3D DRAM
5. X-DRAM
6. 321L 4D NAND
7. 218L CBA BiCS
8. LPDDR-FLASH
9. ULTRARAM
10. UCIe1.1
11. PCIe5.0/6.0
12. QLC/PLC
13. 市场价格/库存和恢复
14. 比特增长
15. 新存储器层次结构

会议的关键词之一：“CXL”。CXL和存储设备(包括DRAM和NAND闪存)的组合提供了更大的容量和具有竞争力的性能，例如内存语义（Memory-Semantic）SSD, CXL + BiCS Flash和用于AI/ML等的CXL + xml – Flash。内存语义SSD (MS-SSD)持久性内存(Persistent memory, PMEM)可以通过提高随机读取速度和降低延迟来提高20倍以上的性能，并且可以将其添加到内存层次结构中。三星特别指出，内存语义SSD存储容量更大、总拥有成本(TCO)更低、最适合分层存储解决方案的存储设备。 

据一些媒体报道，SK海力士公布了其开创性的三层321层4D NAND的原型，这是第一个超过300层的工作芯片。SK海力士NAND开发负责人Jungdal Choi评论说，新的器件技术和工艺集成是1)多覆盖校正，2)无应力材料，以及3)具有成本效益的3-plug集成，同时具有CTF电池涂层，WLs和SL沉积以及321层的阶梯蚀刻。321L 1Tb TLC 4D NAND开始转移到生产工厂，计划从2025年上半年开始批量生产。顺便说一句，他们现在刚刚开始量产238L 512Gb TLC(3月用于移动设备，4月用于PC, 2023年7月用于数据中心)，238L 1Tb TLC将从今年第四季度开始。