据拓墣产业研究院最新报告指出，受到高运算量终端装置以及数据中心需求的带动，2017年全球晶圆代工总产值约573亿美元，较2016年成长7.1%，全球晶圆代工产值连续五年年成长率高于5%。其中，中芯国际以30.99亿美元营收，年增6.3%位列纯晶圆代工厂商第四位（三星为IDM厂商）。
观察2017年全球前十大晶圆代工厂商排名，整体排名与2016年相同，台积电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、联电分居前三，其中台积电产能规模庞大加上高于全球平均水平的年成长率，市占率达55.9%，持续拉大与竞争者的距离；全球排名第二的格罗方德受惠于新产能的开出与产能利用率提升，2017年营收呈现年增8.2%的相对高成长表现。
联电今年量产14nm，但仅占全年营收的约1%，然在整体产能提升与产品组合转换带动下，实际营收年成长率达6.8%，位列晶圆代工市场第三位；而与台积电同为10nm制程技术先驱的三星(Samsung)，则因采用的大客户仅有高通(Qualcomm)，致使成长受限，排名第四；排名第五的中芯虽然持续扩大资本支出，然而，受限于2017年实际开出的产能有限与28nm良率的瓶颈未突破，使得成长率低于全球市场平均。
TowerJazz及华虹宏力则透过产能扩增，在市场对8吋厂需求持续畅旺下，带来大于10%的年成长；力晶则因调升代工业务比重，交出高成长率成绩单。
从应用领域来看，拓墣产业研究院指出，高运算量相关应用持续带动半导体产业对先进制程的需求，2017年10nm制程节点开始放量，估计2017年全年10nm节点营收将占晶圆代工整体市场的6.5%。而2017年半导体整体产值年成长率7.1%当中，超过95%的成长动能来自10nm的销售贡献，显示10nm制程的开出成为2017年晶圆代工产值成长最重要的引擎。
另一方面，在5G与电动车的需求驱使下，可观察到晶圆代工厂商积极投入第三代半导体材料GaN及SiC的开发，如台积电提供GaN的代工服务及X-Fab公布SiC晶圆代工业务将于2017第四季贡献营收。
展望2018年，拓墣产业研究院认为，除7nm先进制程节点将带动整体产值之外，在2018年为5G试营运重要的观察年下，第三代半导体的代工服务所带来的产业生态链变化，同为市场值得关注的重点。
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