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TrendForce:2021年2月specialty DRAM主流容量月均价涨近7%

根据TrendForce集邦咨询调查显示,由于目前三大原厂产能吃紧,DRAM市场仍处供不应求情况,整体市况已正式进入上涨周期,原厂看准机会大幅调升specialty DRAM月报价,带动部分颗粒单月价格涨幅逼近双位数;其中以越小容量、越利基的产品涨幅最大。以2月合约价来看,DDR2及DDR3的涨幅仍高;DDR4则受到DDR3的追价而持续上扬,目前在specialty DRAM中仍属最大宗应用的DDR3 4Gb,其颗粒均价单月涨幅约6.8%。

TrendForce集邦咨询进一步表示,长期由台厂主导的DDR3 2Gb严重缺货的情况持续,有价无量已成该产品常态,而追价者成为造成市场高低价价差扩大的主因,本月均价涨幅近9%。DDR4 4Gb受到DDR3 4Gb的上扬所迫,三星(Samsung)本月价格明显拉升,促使低价及均价成长约6%;DDR4 8Gb则随着主流server与PC走势而上,涨幅约4%。必须说明的是,此为因应月合约所做的价格调整,以反应当下市场状况,但若细究部分tier-one客户采取季度合约议价(quarterly lock-in deal)者,其整季价格则不受此月价格影响。

三大原厂DDR3产出仍缓步下滑,台厂弹性调配产能求获利最大化

在目前specialty DRAM市况火热的情况下,DDR3的获利水平逐渐高过DDR4及逻辑IC产品,也带动供应商的策略开始有所调整。韩厂方面,三星(Samsung)规划将Line 13持续转换至CMOS Image Sensor的长期策略不变,然受到近期价格强劲上涨影响,其稍有缩减原先规划的产能进度。SK海力士(SK Hynix)亦采相同策略,旧厂M10于去年底调降产能后,2021年基本上都维持在相似水位。随着最先进的1Z及1 alpha nm良率有所拉升,美光(Micron)将逐步增加先进制程投片比重,因此部分20nm及更成熟的制程碍于台湾厂区空间有限,未来会慢慢挪往位于美国的Fab 6。整体而言,三大原厂的DDR3产出仍持续下滑,然下滑速度较原先预期趋缓。

台厂方面,南亚科(Nanya Tech)目前已将部分20及30nm的DDR4投片转换回DDR3;华邦(Winbond)近年重心皆在Flash业务,DRAM产能在高雄路竹厂完工前都将受到限制,因此该公司选择重点支持DDR2及DDR3 1/2Gb小容量产品,也因华邦在该领域拥有相对更高的市占率,掌握更多定价优势。力积电(PSMC)先前主要锁定在逻辑IC代工,但随着DDR3代工价显著上扬,将转移部份产能至DRAM。整体而言,未来三大台厂都将依据毛利高低于各产品间弹性调配产能。然而,TrendForce集邦咨询认为,即便所有供应商加以因应,此波specialty DRAM供不应求的态势至少延续至今年上半年,后续价格涨幅将视各原厂产能调整状况而定。

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