民生证券：日美电子贸易摩擦启示录（附下载）

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日本电子制造业部分细分行业的衰落受贸易摩擦影响有限，更多是因为日本企业错失科技创新的浪潮以及不注重行业内水平分工。日美电子贸易摩擦从 1984 年持续到 1991 年，措施上从限制专利输出到开征反倾销关税再到“最低价格协定”以及“最低市场份额协定”。贸易摩擦后日本电子行业出现两层分化，首先是低端组装业务开始海外迁移，只有集成电路和元器件在全球竞争力持续强势，另一层分化是集成电路行业内只有设备与材料一骑绝尘，DRAM 等产品从全球霸主地位不断衰落。当前日本电子行业牢牢把控着产业链的上游设备与材料环节，但是在中游制造以及下游组装环节节节败退，产业呈现空心化的格局。市场普遍认为其主要是受当年日美贸易摩擦的影响，我们认为日本本土电子制造业的中游制造以及下游组装的衰落一方面是因为日企主动向海外转移产能，另一方面日企注重垂直一体化的特点注定了其海外转移的程定满足不了全球经济一体化背景下追逐最低生产成本的需求。此外，日本电子制造业的高端领域 DRAM 产品的失败也不能完全与贸易摩擦挂钩，尽管美国在贸易摩擦期间针对日本 DRAM 产品多次发难，但是在 1991 年日美半导体贸易摩擦结束时日本 DRAM 仍然保有全球市场 60%左右的份额（最高时 80%），我们认为日本的失败一方面受贸易摩擦的影响，但主要是因为日本 DRAM 企业专注于大型机用的 DRAM 产品，而从 1990 年开始个人 PC 开始兴起，个人 PC 需要的 DRAM 与大型机的 DRAM 相差甚大，日企对个人 PC 的忽视，使得韩国 DRAM 厂商趁势崛起，并且敢于逆势大幅度扩产，韩国DRAM厂商凭借低成本优势拿下了个人PC用DRAM第一把交椅。

乐观看待中美两国在电子制造业领域存在的差距。当前中美两国在电子制造业领域差距已经在不断缩小，目前在半导体领域，我们所需的设备与材料基本都依赖进口，而当年日本 1976 年开始半导体的举国体制之前与中国当前情况类似，但是经过多年的发展，1985 年贸易摩擦前的日本半导体企业已经基本实现了核心设备的自制，甚至在部分核心产品上领先于美国同行量产上市。可以看出，同样在面对美国开打贸易摩擦时日美电子制造业的差距是小于中美之间的差距，值得欣慰的是，中国目前已经出现一批优质半导体公司，如中微公司、澜起科技、汇顶科技等。此外，日本半导体的举国体制之路给我们发展半导体制造提供了可复制的案例，我们应该加大举国体制的力度，力争用最短的时间实现核心设备与材料的突破。

举国体制是发展高精尖制造业实现突围的有效方式。1976 年日本的“DRAM 制法革新”项目下的“VLSI 技术研究所”共耗资 720 亿日元，其中政府出资 320 日元，企业界筹集 400 亿日元，最后日本得以先于美国研发 64k 集成电路、256k 动态储存器，完成对美国技术的赶超，奠定了日本在 DRAM 市场的霸主地位。包括韩国在内也采用举国体制发展半导体，1983 年韩国公布“半导体工业振兴计划”，韩国政府共投入了 3.46 亿美元的贷款，并激发了 20 亿美元的私人投资，促进了韩国半导体产业的发展。当前中国也开启了扶持半导体大基金计划，且已经开启了第二期的投资，日本和韩国的例子证明举国体制是发展高精尖制造业的有效方式，中国的半导体大基金计划对半导体的发展有实实在在的推动作用。

中国当前电子制造业主要是内需拉动，与日本高贸易依存度的需求结构相比有着更强的抵御贸易摩擦的能力。日本电子制造业对外贸易依存度远高于中国，日本电子行业对外贸易依存度自 1950 年来一直呈上升态势，而中国的情况恰恰相反。1985 年贸易摩擦前日本电子制造业对外贸易依存度达到 56%，而当前中国电子制造业对外贸易依存度仅为39.32%，08年金融危机之后中国电子制造业的出口比重一路下滑，造成中国这一情况的原因是出口总额多年来没有上升，其中生产总额从 08 年来增幅接近 300%，而出口总额增幅只有 40%，说明中国内需增长旺盛，内需消化的产值远高于出口。1985 年之前日本之所以出现贸易依存度不断提高主要是因为出口增幅远高于总产值增幅，1985 年的出口金额和总产值分别是 1955 年的 1980 和 885 倍。1985 年之后日本出口基本维持零增长态势，但是生产总值在 2000 年达到顶峰后一路下滑，导致贸易依存度被动性提高。

科创板开闸+大基金二期上马，中国版新型举国体制助力国产半导体，预计存储产业有望率先突围。科创板推动优质半导体企业快速上市，大基金二期大手笔投资，大国重器加速突围。优质半导体企业如中微公司、澜起科技、沪硅产业通过在科创板快速上市募集资金，加速对各环节国际龙头企业的追赶。中芯国际也拟于科创板上市及交易，中芯国际作为国内实力最强的晶圆制造厂，14nm 已开始量产，与台积电、三星等国际巨头差距正逐步缩小，科创板上市有利于公司募资资金加速先进制程的研发。

半导体行业自主可控是国家意志的体现，受到国家政策的持续加码支持。大基金二期大手笔加持，大基金二期注册资本 2041.5 亿元，按照撬动比例 1：3 计算，所撬动的社会资金规模可达 6000 亿元以上。与大基金一期总投资 1387 亿、撬动 5145 亿地方及社会资金相比，二期在资金规模上远超一期。